СМИ: Samsung закажет у TSMC основу памяти для Nvidia

Samsung Electronics будет выпускать особую память HBM для Nvidia вместе со своим главным соперником в контрактном производстве чипов, тайваньской TSMC. Об этом 18 октября написала корейская газета Seoul Economic Daily со ссылкой на источники в отрасли. Нижний логический слой памяти, так называемый базовый кристалл, сделают по 3-нанометровому техпроцессу TSMC.

HBM — это скоростная память, которую ставят рядом с графическими процессорами для ИИ. Она собрана из нескольких слоёв, и базовый кристалл внизу задаёт скорость передачи данных. По данным газеты, Nvidia проектирует этот кристалл вместе с Samsung и TSMC, а саму память называет NVHBM.

Чем NVHBM отличается от обычной HBM

В базовый кристалл NVHBM перенесли контроллер памяти, который раньше находился в самом графическом процессоре. Благодаря этому в GPU освобождается место для вычислительных блоков. Интерфейсный слой при этом уменьшили на 60% по сравнению со стандартной HBM.

По сравнению со стандартной HBM4E, седьмым поколением такой памяти, NVHBM даёт до 30% больше пропускной способности и потребляет на 15% меньше энергии. Чтобы уместить столько функций на маленькой площади, нужен очень тонкий техпроцесс с высоким выходом годных чипов. В отрасли оценивают выход у 3-нанометровых линий TSMC выше 90%, а у 2-нанометрового процесса Samsung Foundry — около 60%.

Памяти не хватает

Причина союза конкурентов — дефицит. Банк UBS ожидает, что в следующем году спрос на HBM достигнет около 61,5 млрд гигабит, на 91% больше, чем в этом году. Производители памяти смогут поставить только 54,6 млрд гигабит, то есть примерно на 10% меньше нужного.

Собственных мощностей Samsung для таких объёмов не хватает. Базовые кристаллы по 4-нанометровому процессу компания делает только на линии 17 в Хвасоне и на части завода P3 в Пхёнтхэке. TSMC тем временем расширяется: две новые 3-нанометровые линии на заводе Fab 18 в Тайнане начнут массовый выпуск в первой половине следующего года и через год после этого, а линия на втором заводе в Аризоне — в третьем квартале следующего года.

Полностью зависеть от соперника Samsung не собирается. Как рассказал газете представитель отрасли, Samsung Foundry уже проверяет выпуск базового кристалла NVHBM на собственном 2-нанометровом процессе. Причина в риске, что 3-нанометровые линии TSMC, которые нужны также для серверных и смартфонных чипов, упрутся в потолок загрузки. Сведения газеты основаны на анонимных источниках, публичных заявлений компаний о NVHBM пока нет.

Источники: Seoul Economic Daily — о совместном выпуске NVHBM